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| 教授 | |
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井上 直久 <inouen@riast.osakafu-u.ac.jp> |
| 助教授 | |
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河村 裕一 <kwmr@riast.osakafu-u.ac.jp> |
| 講師 | |
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森本 恵造 <morimoto@riast.osakafu-u.ac.jp> |
| OB | |||||
平成16年度卒 |
平成17年度卒 |
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中川 智克 「InGaAsSbN系 量子井戸レーザ の研究」 <修士卒> |
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中津雅臣 「CZ-Si結晶中 の低濃度炭素の 赤外吸収測定」 <修士卒> |
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平成15年度卒 |
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大内 一浩 「タイプU共鳴 トンネルダイオ ードの光制御に 関する研究」 <修士卒> |
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夏目 新 「シリコン結晶 中の窒素の状態 の理論的解析」 <修士卒> |
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橋本 理史 「赤外吸収によ るCZ-Si結晶中 の窒素濃度の高 精度・高感度測 定」 <修士卒> |
平成14年度卒 |
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天野 政信 <修士卒> |
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大久保 一平 <修士卒> |
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松本 智和 <修士卒> |
平成13年度卒 |
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原田 英明 <修士卒> |
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山中 陽一郎 <修士卒> |
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藤本 理斗 <修士卒> |
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横山 卓司 <学士卒> |
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東野 徒士之 <博士卒> |
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三箇 山毅 <転勤> |
平成年10度卒 |
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![]() 鎌田 章弘 <修士卒> |
大学での研究 現状紹介 2003.02 プロフィール 後輩の皆さんへ |
テーマ:(111)B面方位InPへのInAlAsのMBE結晶成長 思い出:先生方とよく話したこと。吉松君にはお世話になりました。 所属:松下電器産業株シ導体社事業本部プロセス開発センターデバイスグループ 仕事:フラッシュチーム信頼性基盤技術プロジェクトにて、フラッシュメモリー のSi酸化膜の開発に従事 現在のトレンド:英会話(研修の一環) 信条:明るく前向き 座右の銘:元気・やる気・根気 日ごろ意識していること:人と違うこと、誰も考えつかないことを考える 趣味:音楽全般 考える習慣を身に付けてください。 今やっている研究に没頭してください。 |
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